WCFS4008V1C
AC开关特性
在整个工作范围
WCFS4008V1C为12ns
参数
读周期
t
power[4]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
0
12
3
6
0
6
3
12
6
1
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
3.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
4. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的Vcc值，直到所述第一存储器存取能够进行最小量。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
