初步
开关特性
在整个工作范围
70纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
我们前高后低-Z
5
70
60
60
0
0
45
60
45
0
25
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
BLE / BHE高到高阻态
地址偏移
5
25
0
5
25
70
5
25
10
70
35
70
70
描述
分钟。
马克斯。
CG6263AM
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1ns的音频/视频信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
为0V到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”部分..
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入
所有这些信号都可以通过变为无效终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿即
终止写
14.高-Z和低Z参数表征，不是100 ％测试。 。
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第 - 12 - 6
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
