2SA1812 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1812
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内容描述：	高击穿电压。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO -400 V [High breakdown voltage. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO -400 V]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 179 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD Type

Transistors

Product specification

2SA1812

SOT-89

Unit:mm

1.50 ±0.1

■

Features

●

High breakdown voltage.

●

Low saturation voltage.

4.50±0.1

1.80±0.1

0.48±0.1

0.80±0.1

0.44±0.1

0.53±0.1

3.00±0.1

0.40±0.1

2.60±0.1

2.50±0.1

4.00±0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■

Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter Voltage

Emitter-base Voltae

Collector current

Symbol

CBO

CEO

EBO

C (DC)

C (Pulse)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

*1 Singte pulse

*2 When mounted on a 40X40X0.7mm ceramic board.

STG

Rating

-400

-7

-0.5

-1

0.5

150

-55 to 150

Unit

℃

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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