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0770_XP152A01D8MR 参数 Datasheet PDF下载

0770_XP152A01D8MR图片预览
型号: 0770_XP152A01D8MR
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内容描述: 功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 157 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP152A01D8MR
电容与漏源电压
1000
VGS = 0V , F = 1MHz的
1000
开关时间与漏电流
VGS = -5V , Vdd的≒ -10V , PW = 10微秒。 duty≤1 %
tf
西塞
科斯
开关时间: T( NS )
电容:C (PF )
100
td
(关闭)
100
tr
10
td
(上)
CRSS
10
0
-5
-10
-15
-20
1
-0.01
-0.1
-1
漏源电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅源电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ,ID = -0.7A , TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
-3
TA = 25 ℃时,脉冲测试
栅源电压:栅极电压(V )
-8
反向漏电流: Im额定(A)
-2.5
-4.5V
-6
-2
-1.5
-1
-2.5V
-4
-2
的Vgs = 0V , 4.5V
-0.5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极 - 漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡​​热电阻: γS ( T)
1
RTH ( CH-A ) = 250 ℃ / W (在陶瓷PCB实现的)
单脉冲
0.1
11
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW ( S)
837