功率MOS FET
NP-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.48Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOT-23
包
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP152A01D8MR是P沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.48Ω （ VGS = -4.5V ）
： RDS（ON） = 0.80Ω （ VGS = -2.5V ）
超高速开关
工作电压
: -2.5V
高密度安装
： SOT -23
■引脚CON组fi guration
D
3
■引脚分配
引脚数
引脚名称
Ｇ
Ｓ
Ｄ
功能
1
2
1
G
2
S
门
来源
漏
3
11
SOT-23
（ TOP VIEW ）
■等效电路
3
.Absolute最大额定值
TA = 25 ：
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±12
-0.5
-1.5
-0.5
0.5
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
1
2
反向漏电流
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
P沟道MOS场效应管
（ 1装置内置）
注意：当在陶瓷PCB实现
834
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
