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THN6701B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: THN6701B
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内容描述: NPN硅锗RF功率晶体管 [NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 254 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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Preliminary Specification  
THN6701B  
Evaluation Board (for FRS at 465 MHz)  
Part  
Value  
C8  
C1, C4  
C7, C9  
100 pF (1608, Murata)  
C5  
C4  
C2  
C3  
10 pF (1608, Murata)  
18 pF (1608, Murata)  
1 nF (1608, Murata)  
15pF (1608, Murata)  
100 nH (1608, Murata)  
C7  
L2  
L1  
C1  
C9  
C2 C3  
C6  
C5,C8  
C6  
L1  
L2  
0.4 X 1.5 X 6T  
(Air Coil)  
FR4 glass epoxy: dielectric constant = 4.5, thickness = 0.8 mm  
Evaluation board dimension = 119 50 mm2  
Test condition: CW test, VCC = 6.0 V, ICQ = 50 mA, f = 465 MHz  
Test Circuit Schematic Diagram  
VBB  
VCC  
100 pF  
1 nF  
1 nF  
100 pF  
L2  
1 nH  
0.5 X 1.5 X 6T  
W=1.3 mm  
L=11 mm  
W=1.3 mm  
L=39 mm  
100 pF  
OUTPUT  
W=1.3 mm W=1.3 mm  
INPUT  
100 pF  
L=36 mm  
L=2.8 mm  
15 pF  
W=1.3 mm  
L=1.8 mm  
10 pF  
18 pF  
http://www.tachyonics.co.kr  
Sept. 2005.  
Rev. 1.0  
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