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THN6501Z 参数 Datasheet PDF下载

THN6501Z图片预览
型号: THN6501Z
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 231 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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THN6501 Series  
Output 3rd Order Intercept Point, OIP3 vs. IC  
CCB vs. VCB  
(ZS = ZL = 50 )  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
35  
f = 1 GHz  
VCE = 6 V  
30  
25  
20  
15  
10  
5
f = 1 MHz  
VCE = 3 V  
VCE = 2 V  
0
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
VCB [V]  
IC [mA]  
NF vs. IC  
Noise Figure Contours & Constant Gain  
f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA  
VCE = 3 V, IC = parameter, ZS = ZSopt  
2
f = 1 GHz  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
Output Stable  
Input Stable  
ΓOPT=0.445∠15  
5
GA=15dB  
NF=1.0dB  
=14dB  
=1.1dB  
=13dB  
=1.2dB  
=12dB  
=1.3dB  
=11dB  
5 contour  
0.8  
0.6  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55  
IC [mA]  
Aug.-2005  
Rev 2.0  
www.tachyonics.co.kr  
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