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THN6501Z 参数 Datasheet PDF下载

THN6501Z图片预览
型号: THN6501Z
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 231 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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THN6501 Series  
Insertion Power Gain, |S21|2 vs. Frequency  
Maximum Available Gain, MAG vs. Frequency  
20  
18  
16  
14  
24  
22  
20  
18  
VCE = 6 V  
12  
16  
VCE = 6 V  
IC = 15 mA  
IC = 15 mA  
10  
14  
8
12  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
6
10  
IC = 15 mA  
IC = 15 mA  
4
8
6
2
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
Frequency [GHz]  
Frequency [GHz]  
Transition Frequency, fT vs. IC  
Maximum Available Gain, MAG vs. IC  
12  
18  
VCE = 6 V  
f = 1 GHz  
10  
8
17  
VCE = 8  
VCE = 6  
16  
VCE = 3  
6
15  
VCE = 3 V  
4
14  
VCE = 2  
VCE = 2 V  
2
13  
12  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65  
IC [mA]  
IC [mA]  
Aug.-2005  
Rev 2.0  
www.tachyonics.co.kr  
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