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    THN6501 参数 Datasheet PDF下载

    THN6501图片预览
    型号： THN6501
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 15 页 / 231 K
    品牌： TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
     浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第1页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第2页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第4页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第5页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第7页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第8页浏览型号THN6501的Datasheet PDF文件第9页  
    THN6501 Series  
    Total Power Dissipation, PT vs. TA  
    IC vs. VCE  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    IB = 500 ㎂  
    IB = 400 ㎂  
    IB = 300 ㎂  
    IB = 200 ㎂  
    IB = 100 ㎂  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    Ambient Temperature, TA [℃]  
    VCE [V]  
    IC vs. VBE  
    hFE vs. IC  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    120  
    VCE = 3 V  
    VCE = 6 V  
    100  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    0
    0
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1
    0.1  
    1
    10  
    100  
    IC [mA]  
    VBE [V]  
    Aug.-2005  
    Rev 2.0  
    www.tachyonics.co.kr  
    - 3/15 -  

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