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THN6201 参数 Datasheet PDF下载

THN6201图片预览
型号: THN6201
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 251 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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THN6201 series  
Transition Frequency, fT vs. IC  
CCB vs. VCB  
0.7  
0.65  
0.6  
16  
VCE = 8 V  
f = 1 MHz  
14  
12  
10  
8
VCE = 3 V  
0.55  
0.5  
0.45  
0.4  
6
4
0.35  
0.3  
2
VCE = 2 V  
0
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
VCB [V]  
IC [mA]  
NF vs. Ic  
Noise Figure Contours & Constant Gain  
f = 1 GHz, 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 5 mA  
VCE = 3 V, IC = parameter, ZS = ZSopt  
3
Output Stable  
Input Stable  
2.5  
GA=9dB  
=10dB  
=11dB  
f = 1 GHz  
ΓOPT=0.228∠8  
f = 2 GHz  
2
3contour  
0
NF =1.05dB  
GA=16dB  
=1.1dB  
1.5  
1
=15dB  
=14dB  
3contour  
=1.2dB  
f = 2 GHz  
ΓOPT=0.358∠155  
f = 1 GHz  
NF =1.45dB  
=1.5dB  
=1.6dB  
3 contour  
0.5  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
IC [mA]  
Aug.-2005  
Rev 2.0  
www.tachyonics.co.kr  
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