1HNK60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1HNK60
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内容描述：	N沟道600V - 8欧姆 - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223超网-TM MOSFET [N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	15 页 / 475 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60

电气特性（续）

表7 ：动态

符号

(1)

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V

= 0.5 A

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

156

23.5

3.8

6.5

1.1

3.7

马克斯。

单位

= 300 V，I

= 0.5 A,

= 4.7

Ω,

= 10 V

（阻性负载参见图

21)

= 480V ，我

= 1 A,

= 10V ，R

= 4.7

Ω

（参见图23 ）

表8 ：源极漏极二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 1.0 A，V

= 0

= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 25V ，T

= 25°C

（见测试电路，图22 ）

= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 25V ，T

= 150°C

（见测试电路，图22 ）

140

240

3.3

229

377

3.3

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.6

单位

µC

（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。

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