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    1HNK60 参数 Datasheet PDF下载

    1HNK60图片预览
    型号： 1HNK60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道600V - 8欧姆 - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223超网-TM MOSFET [N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 15 页 / 475 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号1HNK60的Datasheet PDF文件第9页  
    STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R - STN1HNK60
    表3 ：绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    DGR
    V
    GS
    I
    D
    I
    D
    I
    DM
    ( )
    P
    合计
    dv / dt的（ 1 ）
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    DPAK / IPAK
    价值
    TO-92
    SOT-223
    单位
    V
    V
    V
    0.4
    0.25
    1.6
    3.3
    0.025
    A
    A
    A
    W
    W / ℃，
    V / ns的
    °C
    漏源电压（V
    GS
    = 0)
    漏，栅极电压（R
    GS
    = 20 kΩ)
    栅 - 源电压
    漏电流（连续）在T
    C
    = 25°C
    漏电流（连续）在T
    C
    = 100°C
    漏电流（脉冲）
    总功耗在T
    C
    = 25°C
    降额因子
    峰值二极管恢复电压斜率
    工作结温
    储存温度
    1.0
    0.63
    4
    30
    0.24
    600
    600
    ± 30
    0.4
    0.25
    1.6
    3
    0.025
    3
    -55到150
    （ ）脉冲宽度有限的安全工作区
    (1) I
    SD
    ≤1.0A,
    的di / dt
    ≤100A/µs,
    V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    , T
    j
    ≤
    T
    JMAX 。
    表4 ：热数据
    DPAK / IPAK
    Rthj情况
    Rthj - AMB
    Rthj铅
    T
    l
    热阻结案件最大
    热阻结到环境最大
    热阻结铅最大
    最大无铅焊接温度的
    用途
    4.16
    100
    --
    275
    TO-92
    --
    120
    40
    260
    SOT-223
    --
    37.87 (#)
    --
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    °C
    （＃）当安装在FR-4板1
    2
    ， 2盎司铜，T < 10秒
    表5：雪崩特征
    符号
    I
    AR
    E
    AS
    参数
    雪崩电流，重复或不重复
    （脉冲宽度限制T
    j
    MAX ）
    单脉冲雪崩能量
    （起始物为
    j
    = 25 ° C，I
    D
    = I
    AR
    , V
    DD
    = 50 V)
    最大值
    1
    25
    单位
    A
    mJ
    电气特性
    (T
    例
    = 25 ° C除非另有规定编）
    表6 ：开/关
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源
    击穿电压
    零栅极电压
    漏电流（V
    GS
    = 0)
    门体漏
    电流（V
    DS
    = 0)
    栅极阈值电压
    静态漏源
    阻力
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0
    V
    DS
    =最大额定值
    V
    DS
    =最大额定值，T
    C
    = 125 °C
    V
    GS
    = ± 30V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250 µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5 A
    2.25
    3
    8
    分钟。
    600
    1
    50
    ±100
    3.7
    8.5
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    V
    Ω
    2/15

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