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型号: STP4931
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内容描述: STP4931是双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度, DMOS沟槽技术生产。 [STP4931 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 334 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STP4931  
Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET  
8.5A  
-
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Typical  
-20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
V
±
12  
Gate-Source Voltage  
TA=25  
Continuous Drain Current  
-8.5  
-7.0  
A
(TJ=150  
)
TA=70  
Pulsed Drain Current  
IDM  
-30  
A
Continuous Source Current  
(Diode Conduction)  
IS  
-2.3  
A
TA=25℃  
2.8  
1.8  
Power Dissipation  
PD  
W
TA=70  
Operation Junction Temperature  
Storgae Temperature Range  
TJ  
-55/150  
-55/150  
70  
TSTG  
/W  
Rθ  
Thermal Resistance-Junction to Ambient  
JA  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
www.stansontech.com  
Copyright © 2007, Stanson Corp.  
STP4931 2009. V1