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    STC6332 参数 Datasheet PDF下载

    STC6332图片预览
    型号： STC6332
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    内容描述： 该STC6332是采用高密度DMOS沟道技术的N' P沟道增强型功率场效应晶体管。 [The STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 421 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STC6332的Datasheet PDF文件第9页  
    STC6332  
    N&P Pair Enhancement Mode MOSFET  
    0.95A / -1A  
    ℃
    ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
    Typical  
    Parameter  
    Symbol  
    VDSS  
    VGSS  
    ID  
    Unit  
    N
    P
    Drain-Source Voltage  
    20  
    -20  
    V
    V
    ±
    ±
    12  
    12  
    Gate-Source Voltage  
    TA=25℃  
    ℃
    Continuous Drain Current  
    1.2  
    0.9  
    -1.0  
    -0.7  
    A
    ℃
    (TJ=150  
    )
    TA=80  
    Pulsed Drain Current  
    IDM  
    4
    -3  
    A
    Continuous Source Current  
    (Diode Conduction)  
    IS  
    0.6  
    -0.6  
    A
    TA=25℃  
    ℃
    0.3  
    0.19  
    Power Dissipation  
    PD  
    W
    ℃
    ℃
    TA=70  
    Operation Junction Temperature  
    TJ  
    -55/150  
    -55/150  
    Storgae Temperature Range  
    Thermal Resistance-Junction  
    TSTG  
    T≦10Sec  
    Sready State  
    360  
    400  
    360  
    400  
    ℃
    /W  
    Rθ  
    JA  
    to Ambient  
    STANSON TECHNOLOGY  
    120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
    www.stansontech.com  
    Copyright © 2007, Stanson Corp.  
    STC6332 2009. V1  

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