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ST3401SRG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ST3401SRG
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内容描述: ST3401RSG是采用高密度DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [ST3401RSG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 212 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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ST3401SRG  
P Channel Enhancement Mode MOSFET  
ꢀ4.0A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
Static  
DrainꢀSource Breakdown  
Voltage  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS=0V,ID=ꢀ250uA  
ꢀ30  
V
V
Gate Threshold Voltage  
VDS=V ,ID=ꢀ250uA ꢀ0.4  
ꢀ1.0  
GS  
±
±
100  
VDS=0V,VGS= 12V  
Gate Leakage Current  
nA  
VDS=ꢀ24V,VGS=0V  
VDS=ꢀ24V,VGS=0V  
ꢀ1  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
IDSS  
uA  
ꢀ10  
TJ=55  
VGS=ꢀ10V,ID=ꢀ4.0A  
VGS=ꢀ4.5V,ID=ꢀ3.2A  
VGS=ꢀ2.5V,ID=ꢀ1.2A  
61  
70  
98  
55  
62  
90  
Ω
m
Drainꢀsource OnꢀResistance  
RDS(on)  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
Dynamic  
gfs  
VDS=ꢀ5V,ID=ꢀ4.0V  
IS=ꢀ1.0A,VGS=0V  
10  
S
VSD  
ꢀ1.2  
21  
V
Total Gate Charge  
GateꢀSource Charge  
GateꢀDrain Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
14  
1.9  
3.7  
VDS=ꢀ15V  
VGS=ꢀ10V  
nC  
pF  
ID ꢀ4.0A  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
Ciss  
Coss  
540  
131  
VDS=ꢀ15V  
VGS=0V  
F=1MHz  
Crss  
105  
10  
15  
VDS=ꢀ15V  
VGS=ꢀ15V  
ID=ꢀ1A  
td(on)  
TurnꢀOn Time  
TurnꢀOff Time  
tr  
15  
31  
20  
25  
50  
30  
nS  
Ω
RL=6  
td(off)  
tf  
Ω
RG=ꢀ10  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
http://www.stansontech.com  
STP3401SRG 2009. V1