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ST3401SRG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ST3401SRG
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内容描述: ST3401RSG是采用高密度DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [ST3401RSG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 212 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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ST3401SRG  
P Channel Enhancement Mode MOSFET  
ꢀ4.0A  
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
DrainꢀSource Voltage  
GateꢀSource Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Typical  
Unit  
ꢀ30  
V
V
±
12  
TA=25℃  
ꢀ4.0  
ꢀ3.2  
Continuous Drain CurrentTJ=150 )  
A
TA=70  
Pulsed Drain Current  
IDM  
ꢀ15  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
IS  
ꢀ1.0  
A
TA=25℃  
1.20  
0.8  
Power Dissipation  
PD  
W
TA=70  
Operation Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TJ  
150  
ꢀ55/150  
120  
TSTG  
R
θ
JA  
/W  
Thermal ResistanceꢀJunction to Ambient  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
http://www.stansontech.com  
STP3401SRG 2009. V1