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ST2303 参数 Datasheet PDF下载

ST2303图片预览
型号: ST2303
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内容描述: P沟道阳城模式MOSFET [P Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 80 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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P Channel Enchancement Mode MOSFET  
-1.7A  
ST2303  
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Typical  
-30  
Unit  
V
+20  
V
-2.6  
-2.0  
A
TA=25℃  
Continuous Drain Current (TJ=150 )  
TA=70  
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
-10  
A
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
-1.25  
Power Dissipation  
PD  
1.25  
0.8  
W
TA=25℃  
TA=70  
Operation Junction Temperature  
Storgae Temperature Range  
TJ  
150  
-55/150  
100  
TSTG  
Thermal Resistance-Junction to Ambient  
Rθ  
JA  
/W  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
TEL: (650) 9389294 FAX: (650) 9389295  
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