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STM6913 参数 Datasheet PDF下载

STM6913图片预览
型号: STM6913
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内容描述: 双N信道E nhancement模式场效应晶体管 [Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 646 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM6913  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
=
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D 250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
30  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS 24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
=
=
G S  
20V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
1.7  
22  
V
G S (th)  
1
2.5  
30  
45  
V
G ate Threshold Voltage  
V
DS =VG S , I  
= 250uA  
D
m ohm  
m ohm  
=
=
V
V
V
V
G S 10V, I  
D
6A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
35  
G S = 4.5V,I  
D
= 5A  
DS = 5V, VG S = 10V  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
15  
A
S
gFS  
Forward Transconductance  
=
=
6A  
8
DS  
5V, I  
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
793  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =15V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
137  
96  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
19.9  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
V
DD = 15V,  
= 1A,  
G S = 10V,  
G E N = 6 ohm  
I
D
R ise Time  
tr  
8.9  
V
R
27.4  
11.1  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
ns  
ns  
nC  
R L = 15 ohm  
tf  
V
V
DS =15V, I  
D
D
=2A,VG S =10V  
=2A,VG S =4.5V  
17.6  
8.6  
Q
g
Total G ate C harge  
nC  
nC  
nC  
DS =15V, I  
2.6  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
V
V
DS =15V, I  
G S =4.5V  
D
= 2A,  
gd  
3.3  
2