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STD410S 参数 Datasheet PDF下载

STD410S图片预览
型号: STD410S
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 365 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D410S  
1.15  
1.10  
1.2  
VDS =VG S  
ID=250uA  
1.1  
ID=250uA  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
0.85  
0.6  
0.5  
6
0
-50  
25 50  
-25  
125 150  
75 100  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
Tj, J unction Temperature ( C )  
Tj, Junction Temperature ( C )  
Figure 6. Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
Figure 5. G ate Threshold Variation  
with Temperature  
54  
20.0  
ID=10A  
45  
125 C  
25 C  
10.0  
36  
125 C  
27  
75 C  
18  
75 C  
25 C  
9
0
1.0  
0
2
4
6
8
10  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
VGS , Gate- S ource Voltage (V)  
V
S D, Body Diode Forward Voltage (V)  
Figure 7. On-R esistance vs.  
Gate-S ource Voltage  
Figure 8. Body Diode Forward Voltage  
Variation with S ource C urrent  
4