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    P4C1048L-45PM 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1048L-45PM图片预览
    型号： P4C1048L-45PM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗512K ×8 CMOS静态RAM [LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 157 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第11页浏览型号P4C1048L-45PM的Datasheet PDF文件第12页  
    P4C1048L  
    DATA RETENTION  
    Test Conditions  
    Min  
    Max Unit  
    Symbol  
    VDR  
    Parameter  
    CE ≥ VCC -0.2V,  
    VIN ≥ VCC -0.2V or VIN ≤ 0.2V  
    VCC for Data Retention  
    2.0  
    5.5  
    V
    Comm/Ind  
    20  
    200  
    30  
    VDR = 2.0V  
    µA  
    µA  
    Military  
    ICCDR  
    Data Retention Current  
    Comm/Ind  
    Military  
    VDR = 3.0V  
    300  
    Chip Deselect to Data  
    Retention Time  
    0
    ns  
    ns  
    tCDR  
    tR  
    See Retention Waveform  
    tRC  
    Operating Recovery Time  
    1. CE1 ≥ VDR -0.2V, CE2 ≥ VDR -0.2V or CE2 ≤ 0.2V; or CE1 ≤ 0.2V, CE2 - 0.2V; VIN ≥ VDR -0.2V or VIN ≤ 0.2V  
    LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM  
    Document # SRAM129 REV D  
    Page 8 of 12  

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