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P3C1011-12TI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1011-12TI图片预览
型号: P3C1011-12TI
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内容描述: 高速128K ×16 ( 2 MEG )静态CMOS RAM [HIGH SPEED 128K x 16 (2 MEG) STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 110 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1011  
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED  
Temperature  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Range  
–12 –15 –20  
–25  
–35  
–10  
Commercial  
75  
85  
70  
65  
90  
85  
95  
80  
90  
mA  
mA  
ICC  
80  
95  
75  
90  
N/A  
N/A  
Dynamic Operating Current* Industrial  
Military  
100  
N/A N/A  
mA  
*VCC = 3.6V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE = VIL, OE = VIH.  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—READ CYCLE  
(VCC = 3.3V ± 0.3V, All Temperature Ranges)(2)  
-12  
-25  
-35  
-10  
-15  
-20  
Sym.  
Parameter  
Unit  
Min  
Max  
Min Max Min Max  
Min Max  
Max Min Max Min  
tRC  
tAA  
12  
10  
15  
ReadCycleTime  
20  
20  
35  
ns  
ns  
25  
12  
12  
Address Access Time  
10  
10  
15  
15  
35  
35  
25  
25  
tAC  
20  
ns  
Chip Enable Access Time  
OutputHoldfromAddressChange  
Chip Enable to Output in Low Z  
ns  
ns  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
tOH  
tLZ  
tHZ  
tOE  
3
3
8
8
12  
12  
ns  
ns  
Chip Disable to Output in High Z  
Output Enable Low to Data Valid  
5
5
6
6
7
7
10  
10  
tOLZ  
tOHZ  
tPU  
ns  
ns  
ns  
Output Enable Low to Low Z  
Output Enable High to High Z  
Chip Enable to Power Up Time  
0
0
0
0
0
0
0
8
0
0
0
0
0
5
6
7
10  
12  
Chip Disable to Power Down Time  
Byte Enable to Data Valid  
tPD  
ns  
ns  
10  
5
12  
6
15  
7
20  
35  
12  
25  
10  
tBE  
tLZBE  
tHZBE  
8
0
0
0
0
Byte Enable to Low Z  
Byte Disable to High Z  
0
0
ns  
ns  
6
6
7
8
10  
12  
Document # SRAM131 REV OR  
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