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PSII100/12 参数 Datasheet PDF下载

PSII100/12图片预览
型号: PSII100/12
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 484 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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175  
175  
VGE=17V  
15V  
VGE=17V  
15V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
A
A
150  
13V  
11V  
13V  
11V  
IC  
IC  
125  
100  
75  
50  
25  
0
125  
100  
75  
50  
25  
0
9V  
9V  
121T120  
121T120  
V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V  
VCE  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0  
VCE  
Fig. 1 Typ. output characteristics  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
300  
150  
VCE = 20V  
TJ = 25°C  
A
TJ = 125°C  
250  
A
TJ = 25°C  
IF  
IC  
200  
150  
100  
50  
100  
75  
50  
25  
0
121T120  
121T120  
0
V
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
VF  
3,0  
3,5  
5
6
7
8
9
10  
VGE  
11  
V
Fig. 3 Typ. transfer characteristics  
Fig. 4 Typ. forward characteristics of  
free wheeling diode  
120  
A
300  
ns  
20  
V
VCE = 600V  
IC = 75A  
trr  
trr  
IRM  
15  
10  
5
VGE  
80  
40  
0
200  
TJ = 125°C  
V
IF  
R = 600V  
75A  
100  
IRM  
=
121T120  
121T120  
0
0
0
200  
400  
600  
A/µs 1000  
-di/dt  
nC  
0
100  
200  
300  
400  
QG  
Fig. 5 Typ. turn on gate charge  
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of  
free wheeling diode  
2005 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20