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PSHI25-12 参数 Datasheet PDF下载

PSHI25-12图片预览
型号: PSHI25-12
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 136 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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PSHI 25/12  
50  
50  
VGE = 17V  
VGE = 17V  
A
A
15V  
15V  
IC  
IC  
13V  
TVJ = 25°C  
13V  
TVJ = 125°C  
11V  
30  
20  
10  
0
30  
20  
10  
0
11V  
9V  
9V  
25T120  
25T120  
V
V
7
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
VCE  
VCE  
Fig. 1 Typ. output characteristics  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
50  
50  
A
A
IF  
VCE = 20V  
IC  
30  
20  
10  
0
30  
20  
10  
0
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
T
VJ = 125°C  
25T120  
25T120  
V
0
1
2
3
4
4
6
8
10  
12  
14 V 16  
VF  
VGE  
Fig. 3 Typ. transfer characteristics  
Fig. 4 Typ. forward characteristics of  
free wheeling diode  
50  
A
30  
20  
10  
0
200  
20  
trr  
V
1
ns  
trr  
15  
IRM  
VCE = 600V  
IC = 15A  
VGE  
120  
80  
40  
0
TVJ = 125°C  
10  
5
V
R = 600V  
IF = 15A  
IRM  
25T120  
25T120  
0
0
200  
400  
600  
-di/dt  
A/µs 1000  
0
20  
40  
60  
80 nC 100  
QG  
Fig. 5 Typ. turn on gate charge  
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of  
free wheeling diode  
2002 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20