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F2000D 参数 Datasheet PDF下载

F2000D图片预览
型号: F2000D
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内容描述: InGaAlP系,高亮度, Lumineszenzdiode ( 617nm ,大电流和磁场)的InGaAlP高亮度LED( 617nm ,大电流和磁场) [InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)]
分类和应用: 光电静态存储器
文件页数/大小: 6 页 / 215 K
品牌: OSRAM [ OSRAM GMBH ]
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˚F 2000D
Mechanische Werte
机械价值观
bezeichnung
参数
Chipkantenlänge (X - Richtung )
芯片边缘的长度( x方向)
Chipkantenlänge (Y - Richtung )
芯片边缘的长度( y方向)
Durchmesser宫晶片
晶片的直径
Chiphöhe
模高
Bondpaddurchmesser
焊垫直径
Weitere Informationen
附加信息
2)
Vorderseitenmetallisierung
正面金属化
Rückseitenmetallisierung
背面金属化
Trennverfahren
切割
Verbindung芯片 - Träger
芯片粘接
1)
符号
符号
分钟。
0.68
0.68
邂逅相遇,
价值
1)
典型值。
0.7
0.7
100
200
110
220
120
240
130
马克斯。
0.72
0.72
统一性
单位
mm
mm
mm
µm
µm
L
x
L
y
D
H
d
Goldlegierung
金合金
萨根
锯切
Kleben
环氧粘接
典型( refered为典型值)的数据被定义为长期生产平均值和对信息仅给出。
这不是一个特定的值
所有的芯片都根据下列程序和目视检查的OSRAM OS的规格检查
A63501 - Q0013 - N001 - * - 76G3 :
目视检查应以按照对视觉inspection"作为referenced.The的"specification
芯片背面的目视检查与体视显微镜与入射光与40X - 80X的放大倍率进行。
其具有超过3%的失败的模具的量区域>四分之一平方厘米将被删除。芯片的外观检查
前侧是通过立体显微镜对的面积的100%进行与入射光具有40倍, 80倍的放大倍率
每个晶片。区> 1平方厘米具有50%以上的不合格模和地区> 2平方厘米的含有量
超过25%的故障模的量将被删除。在失败的密度高于1%区域的每个故障模是
单独签署。关于请求芯片正面的视觉检查可以通过一个自动视觉进行
检查加上自动上墨另外。质量检验(最终目测)进行
通过生产。另外一个目视检查步骤,因为特殊的释放过程由QM最终外观检查后,
未安装。
2)
2003-04-15
3