InGaAlP系，高亮度， Lumineszenzdiode （ 617nm ，大电流和磁场）
的InGaAlP高亮度LED（ 617nm ，大电流和磁场）
˚F 2000D
Vorläufige （千牛顿） /初步数据
Wesentliche Merkmale
• Optimierte Lichtauskopplung而达
Oberflächenstrukturierung UND Stromverteilung
• Chipgröße 700× 700
µm
2
• Wellenlänge （典型值） ： 617纳米
• TECHNOLOGIE ： InGaAIP
•典型。 Lichtfluß ： 20流明@ 400毫安（ gepulst ，即时通讯
金龙
®
Gehäuse ） 。
Anwendungen
• Ampeln
• Hinterleuchtung （LCD ，得心应手， Schalter ，
Tasten ，显示器， Werbebeleuchtung ，
Allgemeinbeleuchtung ）
• Beleuchtung IM Automobilbereich
（ z.B. Instrumentenbeleuchtung ， Bremslichter
UND Blinklichter ）
•仿照冯Kleinst ， Glühlampen
• Tragbare Beleuchtung
• Fassadenbeleuchtung IM Innen- UND
Außenbereich
典型值
TYPE
˚F 2000D
Bestellnummer
订购代码
Q65110A0981
特征
•由于表面优化的光提取
结构和电流分布
•芯片尺寸700× 700
µm
2
•波长（典型值） ： 617纳米
•技术： InGaAIP
•典型。光通量： 20流明@ 400毫安（脉冲，在
金龙
®
包）
应用
•交通灯
•背光（液晶显示器，手机，交换机，
键，显示器，照明广告，一般
照明）
•汽车照明（例如仪表板
背光灯，刹车灯，转向信号灯，
等）
•微型白炽灯替换
•便携式光源
•室内和室外商业及住宅
建筑照明
Beschreibung
描述
腐emittierender芯片MIT optimierter Lichtauskopplung
第三人以Oberflächenstrukturierung ， Oberseite Anodenan-
schluss
具有优化的光提取由于外加红色发光芯片
面部结构，顶面阳极连接
2003-04-15
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
