MG63P/64P/65P
0.25微米嵌入式DRAM /客户结构阵列
描述
Oki的0.25微米MG63P / 64P / 65P特殊应用积体电路（ ASIC ）提供的能力，
嵌入同步DRAM （SDRAM）的大块成所谓的嵌入式阵列架构
顾客结构化阵列（ CSA） 。采用冲电气的领导在DRAM的技术和广泛的实验
在逻辑产品中嵌入SDRAM的单一模式，冲电气能够集成SDRAM和ASIC技术。该
合并DRAM / ASIC的过程有效地实现冲叠层电容器存储单元。该
MG63P / 64P / 65P CSA系列采用三个，四个，五个金属层的过程中，分别在0.25微米
画（ 0.18微米L-有效） CMOS技术。半导体工艺改编自冲的亲
duction成熟的64兆DRAM制造工艺。
在0.25微米的家庭提供显著性能，密度和比以前的功率改善
0.30微米和0.35微米技术。一个创新的4-晶体管单元结构提供了以下30〜 50％的
功率为30〜 50％的可用门比传统的电池设计。冲电气0.25微米的家庭经营
采用2.5 V VDD内核具有优化的3 -VI / O缓冲区。的3-，4-，和5层金属MG63P / 64P / 65P
CSA系列包含了每个21设备，提供多达868 I / O焊盘和过5.4M生门。这些CSA
数组大小的设计，以适应最流行的四方扁平封装（ QFP ） ，低调的QFP （ LQFPs ） ，薄
的QFP （ TQFPs ） ，和塑料球栅阵列（ PBGA ）封装。冲电气采用了Artisan的内存组件
编译器，它提供高性能，嵌入式同步单端口和双端口SRAM巨
rocells为CSA的设计。这样， MG63P / 64P / 65P系列适合于内存密集型ASIC和
大容量设计，其中封装尺寸的微调产生显著的成本或房地产储蓄。
嵌入式SDRAM代表了主要的IP核心功能Oki的菜单为0.25微米ASIC的一部分
产品。其他功能包括ARM7TDMI ，千兆以太网MAC ， PLL ， PCI和其他规划。
特点
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0.25μm的绘制3-，4-，和5层金属的CMOS
优化的2.5 -V核心
优化的3 -V的I / O
CSA架构的可用性
100MHz的嵌入式的SDRAM芯高达16兆
每次事件
77 ps的典型逻辑门的传播延迟（一
为2和0扇出4倍，驱动逆变器门
毫米的导线，在2.5 V操作）
超过540万生门，并使用868 I / O焊盘
60μ交错I / O
用户可配置的I / O和V
SS
, V
DD
， TTL ，
三态，和1〜 24毫安的选项
摆率控制的输出，低发射
噪音
水平时钟树的细胞从而降低了最大
歪斜的时钟信号
•低0.2μW / MHz的/门功耗
•用户可配置的单和双端口
存储器（ SRAM）的
•专用IP核，并包括宏蜂窝
32位ARM7TDMI的CPU，锁相环
（PLL） ，和外围部件互连
（ PCI）的细胞
•布局规划的前端模拟，背景
年底布局控件，并链接到合成
•联合测试行动组（ JTAG ）边界扫描
和扫描路径自动测试模式
生成（ATPG ）
•支持流行的CAE系统，包括
抑扬顿挫， IKOS ， Mentor Graphics公司，型号
技术公司（ MTI ） ，Synopsys和
Viewlogic系
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OKI半导体
1
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
