半导体¡
MSM5412222
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位后保持WE高完成
操作或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少80活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
需要注意的是MSM5412222的每个写入时序由一个时钟延迟的读定时相比
为便于级联没有任何接口延迟装置。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
到零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写
复位功能仅由SWCK上升沿RSTW ，该状态的高电平后控制
的WE和IE忽略在写复位周期。
前RSTW可再高再复位操作带来的，它必须是低电平至少
2 SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 11
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
被引用到的上升沿
SWCK 。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低
级别禁用输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁用
时间（低），我们让时间（高）的限制，因为MSM5412222是完全静态的
操作只要电源打开。请注意，我们建立和保持时间是参照
上升SWCK的边缘。
输入使能： IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部
写地址指针总是通过循环SWCK不管IE级的递增。记
IE浏览器的设置和保持时间都参考SWCK的上升沿。
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