E2L0034-17-Y1
半导体¡
MSM5412222
半导体¡
262,214-Word
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12位字段存储
这个版本： 1998年1月
MSM5412222
上一版本： 1996年12月
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描述
在OKI MSM5412222是一款高性能的3兆， 256K
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12位，场存储器。它是特别
设计用于高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视
录像机，数字电影和多媒体系统。 MSM5412222是FRAM宽或低端用途
在一般商品电视机和录像机专用。 MSM5412222并非设计用于高端应用
在医疗系统，这需要长期的照片存储专业图形系统，数据
存储系统及其他。两个或更多个MSM5412222s可以直接级联而没有任何
延缓它们之间的设备。 （层叠提供了更大的存储深度或更长的延迟） 。
每个12位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立
控制时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也
支持，这让写之间交替的数据传输速率和读取数据流。
该MSM5412222提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接
清爽： MSM5412222自动刷新的DRAM存储单元，使其显示全部
静态给用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问允许免费刷新
串行存取动作，使连续的读和/或写控制时钟可停止高或低
任何时间，只要电源打开。内存访问和清凉内部冲突
操作都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM5412222的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟，比特
长度很容易被复位时序设定。延迟长度和读延迟时钟数
写和读之间，是由外部控制决定写和读的复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
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12位实现高
加速刚写后第一位访问无时钟延迟或读复位时序。
此外，该MSM5412222有写掩码功能或输入使能功能（IE） ，并读
数据跳跃功能或输出使能功能（ OE ） 。写之间的差异使
（WE）和输入使能（ IE）中，与之间的读使能（ RE）和输出使能（OE ）是我们
和RE可以停止串行读/写地址的增量，但IE和OE不能停止的增加，
当写入/读出时钟不断施加到MSM5412222 。输入使能（IE）的
功能允许用户写入只在存储器中的选定位置，留下的剩余部分
存储器的内容不变。这有利于数据的处理，以“画中画”显示
在电视机屏幕上。
该MSM5412222是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器类似
MSM514222B和2兆位场存储器MSM518222 。三MSM514222Bs或者一个MSM514222B
加一MSM518222可以由一个MSM5412222简单地更换。
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