Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 6,8 Â, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C
IŒ = 75 A, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C
40
22
21
EØþÊ
EØþÊ
35
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
IŒ [A]
100
120
140
0
4
8
12 16 20 24 28 32 36 40
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,048 0,144 0,192 0,096
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2003-8-20
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
6