Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C
80
1
EÓÒ
EÓËË
ZÚÌœ† : IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,027 0,081 0,108 0,054
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,01
0,001
0
5
10
15
20
R• [Â]
25
30
35
40
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 6,8 Â, TÝÎ = 125°C
160
140
120
100
80
150
140
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
130
120
110
100
90
80
70
60
60
50
40
40
30
I†, Modul
I†, Chip
20
20
10
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2003-8-20
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
