Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS15R06VL4_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 15 A, V†Š = 300 V, TÝÎ = 125°C
1,4
10
EÓÒ
EÓËË
ZÚÌœ™ : IGBT
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1
i:
rÍ[K/W]: 0,132
1
2
0,44
3
1,232
0,0003787 0,007447 0,1131875 0,1602598
4
0,396
τÍ[s]:
0,1
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 125°C
33
30
27
24
21
18
15
12
9
30
27
24
21
18
15
12
9
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
6
6
I†, Modul
I†, Chip
3
3
0
0
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2003-7-25
revision: 2.0
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
