Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS15R06VL4_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
600
kV
V
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
TÝÎ = 25°C, 100 fit
V†Š ‡
DC stability
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Alè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
3,20
3,20
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
5,00
5,00
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 225
min. typ. max.
25
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
9,50
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
F
150
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
30
125
125
50
Lagertemperatur
storage temperature
Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
10
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2003-7-25
revision: 2.0
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EUPEC [ EUPEC GMBH ]
