Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 82 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 10 A, V†Š = 600 V
1,0
1,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
0,8
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,6
0,4
0,2
0,0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
IΠ[A]
50
100
150
200
250
300
350
400
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
10
20
18
16
14
12
10
8
ZÚÌœ™ : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
1
6
4
i:
rÍ[K/W]: 0,15
1
2
0,5
3
1,5
4
0,45
τÍ[s]:
0,0002952 0,0044276 0,1053625 0,1391219
2
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
VΠ[V]
0,8
1,0
1,2
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2005-6-15
revision: 2.0
8
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
