Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R06YE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
800
25
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
T† = 80°C
IŒç¢»¢
I碻¢
IŒ»¢
forward current RMS maximum per diode
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
T† = 80°C
25
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
290
245
A
A
Grenzlastintegral
I²t - value
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
420
300
A²s
A²s
I²t
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlassspannung
TÝÎ = 150°C, IŒ = 10 A
forward voltage
min. typ. max.
0,80
VŒ
Iç
V
Sperrstrom
TÝÎ = 150°C, Vç = 800 V
reverse current
0,10
mA
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,45 1,60 K/W
0,60 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Daniel Kreuzer
approved by: Marc Buschkühle
date of publication: 2006-5-19
revision: 2.0
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EUPEC [ EUPEC GMBH ]
