Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R06YE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 27 Â, V†Š = 300 V
IŒ = 10 A, V†Š = 300 V
0,5
0,5
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
IŒ [A]
0
30 60 90 120 150 180 210 240 270 300
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
10
20
18
16
14
12
10
8
ZÚÌœ™ : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
1
6
4
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,405 0,918 1,5525 1,6245
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
2
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
VŒ [V]
0,8
1,0
1,2
prepared by: Daniel Kreuzer
approved by: Marc Buschkühle
date of publication: 2006-5-19
revision: 2.0
9