Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KE3G
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V
80
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,00304
1
2
3
0,00911 0,0806 0,06725
4
τÍ[s]:
0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499
0,01
0,001
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 4,8 Â, TÝÎ = 125°C
350
300
250
200
150
100
300
270
240
210
180
150
120
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
60
50
0
I†, Modul
I†, Chip
30
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
prepared by: Mark Münzer
date of publication: 2004-6-21
revision: 3.2
approved by: Wilhelm Rusche
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
