Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF100R12YT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 100 A, V†Š = 600 V
40
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ™ : IGBT
35
30
25
20
15
10
5
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,01271 0,01845 0,09922 0,27921
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005
0,05
0,2
0
0,01
0
10
20
30
R• [Â]
40
50
60
70
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 6,8 Â, TÝÎ = 125°C
250
200
150
100
50
200
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
60
40
I†, Modul
I†, Chip
20
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
prepared by: Christoph Messelke
approved by: Marc Buschkühle
date of publication: 2006-11-28
revision: 2.1
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
