Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM100GB120DLC
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
0,1
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,01
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
1
2
3
4
i
ri [K/kW]
: IGBT
: IGBT
: Diode
: Diode
71,26
0,006
81,89
0,006
54,24
34,43
0,043
63,19
0,033
0,06
1,014
32,9
0,997
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
0,029
122,02
0,035
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE = 15V, Rg = 6,8 Ohm, Tvj= 125°C
250
200
150
100
50
IC,Modul
IC,Chip
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
7(8)
DB_BSM100GB120DLC.xls