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    EM6A9160TSC-4G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6A9160TSC-4G图片预览
    型号： EM6A9160TSC-4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [8M x 16 DDR Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 65 页 / 535 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6A9160TSC-4G的Datasheet PDF文件第9页  
    EM6A9160  
    EtronTech  
    VSS  
    VDDQ  
    VSSQ  
    VREF  
    NC  
    Supply  
    Supply  
    Supply  
    Supply  
    -
    Ground  
    DQ Power: +2.5V ± 0.2V. Provide isolated power to DQs for improved noise immunity.  
    DQ Ground: Provide isolated ground to DQs for improved noise immunity.  
    Reference Voltage for Inputs: +0.5*VDDQ  
    No Connect: No internal connection, these pins suggest to be left unconnected.  
    5
    Rev. 1.3  
    Apr. /2014  

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