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    M24L48512SA-60BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L48512SA-60BIG图片预览
    型号： M24L48512SA-60BIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8 ）伪静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 274 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L48512SA-60BIG的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT  
    M24L48512SA  
    Switching Waveforms (continued)  
    Write Cycle No. 1( WE Controlled) [10, 11, 15, 16, 17]  
    Switching Waveforms (continued)  
    Write Cycle 2 (CE Controlled) [10, 11, 15, 16, 17]  
    Notes:  
    15.Data I/O is high impedance if OE ≥ VIH.  
    16.If Chip Enable goes INACTIVE simultaneously with WE =HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
    17.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jul. 2008  
    Revision: 1.1 6/12  

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