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M14D5121632A-2.5BG2A 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A-2.5BG2A图片预览
型号: M14D5121632A-2.5BG2A
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, BGA-84]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 64 页 / 1089 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M14D5121632A (2A)  
AC Overshoot / Undershoot Specification  
Value  
Unit  
Parameter  
Pin  
-1.5 / 1.8  
-2.5  
Address, CKE, CS ,RAS , CAS , WE ,  
Maximum peak amplitude allowed for  
overshoot  
0.5  
0.5  
V
V
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS , DM  
Address, CKE, CS ,RAS , CAS , WE ,  
Maximum peak amplitude allowed for  
undershoot  
0.5  
0.5  
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS , DM  
Address, CKE, CS ,RAS , CAS , WE ,  
ODT,  
0.5  
0.19  
0.5  
0.66  
0.23  
0.66  
0.23  
V-ns  
V-ns  
V-ns  
V-ns  
Maximum overshoot area above VDD  
Maximum undershoot area below VSS  
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS , DM  
Address, CKE, CS ,RAS , CAS , WE ,  
ODT,  
0.19  
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS , DM  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Oct. 2016  
Revision : 1.0 9/64