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    M12L128168A-6TVAG2N 参数 Datasheet PDF下载

    M12L128168A-6TVAG2N图片预览
    型号： M12L128168A-6TVAG2N
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    内容描述： [Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 46 页 / 687 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M12L128168A (2N)  
    Automotive Grade  
    BLOCK DIAGRAM  
    CLK  
    Clock  
    Generator  
    Bank D  
    Bank C  
    Bank B  
    CKE  
    Row  
    Address  
    Address  
    Buffer  
    &
    Refresh  
    Counter  
    Bank A  
    Mode  
    Register  
    Sense Amplifier  
    Column Decoder  
    L(U)DQM  
    Column  
    Address  
    Buffer  
    &
    CS  
    RAS  
    CAS  
    WE  
    Data Control Circuit  
    Counter  
    DQ  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jun. 2012  
    Revision: 1.1  
    2/46  

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