欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM610FR8CW-12L 参数 Datasheet PDF下载

EM610FR8CW-12L图片预览
型号: EM610FR8CW-12L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 188 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
 浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM610FR8CW-12L的Datasheet PDF文件第11页  
EM611FV16U Series  
merging Memory & Logic Solutions Inc.  
Low Power, 64Kx16 SRAM  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Parameter  
VCC for Data Retention  
Symbol  
VDR  
Test Condition  
Min  
Typ2) Max  
Unit  
ISB1 Test Condition  
1.5  
-
3.6  
-
V
1)  
(Chip Disabled)  
VCC=1.5V, ISB1 Test Condition  
(Chip Disabled) 1)  
IDR  
Data Retention Current  
-
0.25  
mA  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
tSDR  
tRDR  
0
-
-
-
-
See data retention wave form  
ns  
tRC  
NOTES  
1. See the ISB1 measurement condition of datasheet page 4.  
2.Typical values are measured at TA=25oC and not 100% tested.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
tRDR  
tSDR  
Data Retention Mode  
Vcc  
2.7V  
2.2V  
VDR  
CS > Vcc-0.2V  
CS  
GND  
9