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型号: BTC5706J3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 156 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C819J3  
Issued Date : 2004.12.18  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 3/5  
Characteristic Curves  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
10000  
1000  
100  
1000  
VCESAT@IC=50IB  
100  
VCE=2V  
VCE=1V  
VCESAT@IC=20IB  
10  
10  
1
1
1
10  
100  
1000  
10000  
10000  
10000  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Output Characteristics  
10000  
1000  
100  
6
100mA  
5
4
3
2
1
0
VBESAT@IC=50IB  
50mA  
30mA  
20mA  
10mA  
IB=5mA  
IB=0mA  
0
1
2
3
4
5
6
10  
100  
1000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)  
On Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curve  
10000  
1000  
100  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
VBEON@VCE=2V  
0
50  
100  
150  
200  
10  
100  
1000  
Collector Current---IC(mA)  
Ambient Temperature---TA(℃)  
BTC5706J3  
CYStek Product Specification