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BTB1412J3_09 参数 Datasheet PDF下载

BTB1412J3_09图片预览
型号: BTB1412J3_09
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 245 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C816J3  
Issued Date : 2003.05.15  
Revised Date : 2009.02.04  
Page No. : 2/7  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
*VCE(sat)  
*hFE  
-40  
-30  
-6  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
μA  
μA  
V
IC=-50μA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0  
IE=-50μA, IC=0  
VCB=-25V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
IC=-4A, IB=-0.1A  
VCE=-2V, IC=-0.5A  
VCE=-6V, IC=-50mA, f=30MHz  
VCB=-20V, f=1MHz  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
390  
-
-
-
180  
-
-
-
-
fT  
Cob  
120  
60  
MHz  
pF  
-
-
*Pulse Test : Pulse Width 380μs, Duty Cycle2%  
Ordering Information  
Device  
Package  
TO-252  
(Pb-free)  
Shipping  
2500 pcs / Tape & Reel  
Marking  
B1412  
BTB1412J3  
BTB1412J3  
CYStek Product Specification