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    BTB1132M3 参数 Datasheet PDF下载

    BTB1132M3图片预览
    型号： BTB1132M3
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    内容描述： 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 152 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTB1132M3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTB1132M3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTB1132M3的Datasheet PDF文件第4页  
    Spec. No. : C313M3  
    Issued Date : 2003.05.13  
    Revised Date :  
    CYStech Electronics Corp.  
    Page No. : 3/4  
    Characteristic Curves  
    Saturation Voltage vs Collector Current  
    Current Gain vs Collector Current  
    1000  
    100  
    10  
    1000  
    VCE(SAT)@IC=10IB  
    HFE@VCE=3V  
    100  
    1
    10  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000 10000  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000 10000  
    Collector Current---IC(mA)  
    Collector Current---IC(mA)  
    Saturation Voltage vs Collector Current  
    Power Derating Curves  
    10000  
    1000  
    100  
    2.5  
    2
    VBESAT@IC=10IB  
    See n  
    ote 2 on page 1  
    1.5  
    1
    0.5  
    0
    0
    50  
    100  
    150  
    200  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000 10000  
    Ambient Temperature---TA(℃)  
    Collector Current---IC(mA)  
    BTB1132M3  
    CYStek Product Specification  

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