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BTB1132M3 参数 Datasheet PDF下载

BTB1132M3图片预览
型号: BTB1132M3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 152 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C313M3  
Issued Date : 2003.05.13  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=-50µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0  
IE=-50µA, IC=0  
VCB=-20V,IE=0  
VEB=-4V,IC=0  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-3V, IC=-0.1A  
VCE=-5V, IC=-50mA, f=100MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-40  
-32  
-5  
-
-
-
V
-
-
V
-
-
V
-
-
-0.5  
-0.5  
-0.5  
390  
-
µA  
µA  
V
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*hFE  
-0.15  
-
82  
-
-
fT  
Cob  
150  
20  
MHz  
pF  
-
30  
*Pulse Test : Pulse Width 380us, Duty Cycle2%  
Classification of hFE  
Rank  
P
Q
R
Range  
82~180  
120~270  
180~390  
BTB1132M3  
CYStek Product Specification