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CPC3720 参数 Datasheet PDF下载

CPC3720图片预览
型号: CPC3720
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内容描述: N沟道耗尽型场效应晶体管模式 [N-Channel Depletion-Mode FET]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 106 K
品牌: CLARE [ CLARE ]
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CPC3720  
PRELIMINARY  
PERFORMANCE DATA*  
VGS(off) vs.Temperature  
(VDS=10V, ID=1mA)  
Transfer Characteristics  
(VDS=5V)  
Output Characteristics  
(TA=25ºC)  
0
-0.5  
-1.0  
-1.5  
-2.0  
-2.5  
-3.0  
-3.5  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
175  
VGS=0.0V  
150  
125  
100  
75  
-40ºC  
VGS=-1.0V  
VGS=-1.5V  
VGS=-2.0V  
+25ºC  
+125ºC  
60  
50  
40  
25  
20  
0
0
-3.0  
0
1
2
3
4
5
6
-40  
0
40  
80  
120  
-2.5  
-2.0  
(V)  
-1.5  
-1.0  
Temperature (ºC)  
V
V
(V)  
GS  
DS  
Transconductance vs. Drain Current  
(VDS=10V)  
RON vs.Temperature  
(VGS=0V, ID=90mA)  
Power Dissipation  
vs. Ambient Temperature  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
300  
250  
200  
150  
100  
50  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
-55ºC  
+25ºC  
+125ºC  
0
0
-40  
0
40  
80  
120  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140  
ID (mA)  
Temperature (ºC)  
Ambient Temperature (ºC)  
On-Resistance vs. Drain Current  
(VGS=0V)  
Capacitance vs. Drain Source Voltage  
(VGS=-5V)  
Max Rated Safe Operating Area  
1
30  
27  
24  
21  
18  
15  
12  
9
160  
140  
120  
100  
80  
0.1  
0.01  
CISS  
60  
40  
6
COSS  
20  
3
CRSS  
0.001  
0
0.00  
0
0.04  
0.08  
0.12  
(A)  
0.16  
0.2  
0
10  
20  
VDS (V)  
30  
40  
0.1  
1
10  
100  
1000  
I
Drain-Source Voltage (V)  
D
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written specifications, please  
contact our application department.  
R00D  
PRELIMINARY  
3