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CEU02N6 参数 Datasheet PDF下载

CEU02N6图片预览
型号: CEU02N6
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 46 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED02N6/CEU02N6  
10  
15  
12  
V
DS=480V  
100  
ijs  
1ms  
I
D=2A  
t
Limi  
10ms  
1
N)  
(O  
9
6
DC  
RDS  
0.1  
3
0
T
C
=25C  
Tj=25 C  
Single Pulse  
6
0.01  
500  
1000  
1
100  
24  
10  
0
6
12  
18  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 9. Gate Charge  
Figure 10. Maximum Safe  
Operating Area  
VDD  
on  
t
toff  
d(off)  
t
r
t
d(on)  
RL  
t
f
t
VIN  
90%  
10%  
90%  
D
OUT  
V
OUT  
V
VGS  
10%  
INVERTED  
RGEN  
G
90%  
50%  
50%  
S
IN  
V
10%  
PULSE WIDTH  
Figure 12. Switching Waveforms  
Figure 11. Switching Test Circuit  
2
1
D=0.5  
0.2  
0.1  
DM  
P
0.1  
0.05  
1
t
2
t
0.02  
1. RįJC (t)=r (t) * RįJC  
2. RįJC=See Datasheet  
3. TJM-TC = P* RįJC (t)  
4. Duty Cycle, D=t1/t2  
0.01  
Single Pulse  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Square Wave Pulse Duration (msec)  
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve  
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