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NE68133-T1B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE68133-T1B
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
                                                                                                                                                                                                      
ΓOPT  
                                                                                                                                                                                                      
NE681 SERIES  
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
NE68100  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
SYMBOLS  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETERS  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
CollectorCurrent  
UNITS  
RATINGS  
V
V
20  
10  
1.5  
65  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
V
VCE = 8 V, IC = 7 mA  
mA  
500  
1000  
2000  
4000  
1.3  
1.45  
2.1  
26.42  
20.54  
14.41  
7.76  
0.20  
0.20  
0.22  
0.42  
91  
0.20  
0.21  
0.51  
0.85  
TJ  
OperatingJunction  
Temperature  
148  
178  
-115  
°C  
°C  
1502  
TSTG  
StorageTemperature  
-55 to +1503  
3.25  
Notes:  
1. Operation in excess of any one of these parameters may result  
in permanent damage.  
2. TJ for NE68135 and NE68100 is 200°C.  
3. Maximum storage temperature for the NE68135 is  
-65 to +150°C.  
NE68130  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA  
NE68119  
500  
1.48  
10.23  
0.74  
43  
1.35  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
800  
1000  
1500  
1.90  
2.15  
2.70  
10.15  
9.00  
4.46  
0.72  
0.69  
0.66  
79  
99  
0.92  
0.60  
0.38  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
126  
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA  
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA  
500  
800  
1.24  
1.67  
2.18  
9.26  
6.95  
6.02  
0.73  
0.74  
0.70  
42  
72  
90  
1.70  
1.01  
0.78  
500  
800  
1.10  
1.26  
1.40  
1.80  
2.22  
2.75  
14.69  
12.73  
11.29  
7.40  
0.65  
0.60  
0.56  
0.53  
0.47  
0.49  
45  
80  
0.42  
0.30  
0.24  
0.17  
0.12  
0.08  
1000  
1000  
1500  
2000  
2500  
99  
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA  
123  
166  
-166  
500  
800  
0.97  
1.19  
13.86  
9.12  
0.66  
0.59  
43  
48  
0.46  
0.35  
6.14  
4.89  
1000  
1500  
1.31  
1.71  
10.09  
7.99  
0.56  
0.50  
89  
0.30  
0.16  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
131  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
500  
800  
1.00  
1.06  
1.16  
1.46  
1.80  
2.15  
17.28  
14.35  
12.69  
9.50  
0.47  
0.44  
0.43  
0.39  
0.35  
0.35  
44  
83  
0.25  
0.21  
0.17  
0.12  
0.11  
0.09  
500  
800  
0.92  
1.02  
1.11  
1.42  
1.82  
17.19  
14.23  
12.78  
10.30  
8.24  
0.49  
0.40  
0.38  
0.39  
0.36  
39  
68  
0.28  
0.17  
0.14  
0.08  
0.11  
1000  
1500  
2000  
2500  
100  
130  
177  
-177  
1000  
1500  
2000  
87  
134  
165  
7.70  
6.03  
VCE = 3 V, IC = 5 mA  
VCE = 8 V, IC = 7mA  
500  
800  
1.00  
1.10  
1.19  
1.40  
1.70  
2.05  
19.00  
15.57  
13.91  
11.25  
9.08  
0.37  
0.31  
0.30  
0.33  
0.32  
0.36  
43  
71  
0.20  
0.15  
0.13  
0.09  
0.11  
0.13  
500  
1.30  
1.40  
1.80  
2.50  
3.60  
20.34  
13.96  
8.56  
0.29  
0.25  
0.25  
0.48  
0.67  
50  
84  
0.27  
0.18  
0.16  
0.10  
0.20  
1000  
2000  
3000  
4000  
1000  
1500  
2000  
2500  
89  
155  
-167  
-135  
139  
166  
-163  
5.64  
4.50  
7.62  
VCE = 8 V, IC = 7 mA  
NE68135  
500  
800  
1.10  
1.20  
1.30  
1.50  
1.77  
2.10  
2.40  
20.30  
16.82  
15.10  
12.35  
10.21  
8.85  
0.36  
0.28  
0.28  
0.28  
0.28  
0.33  
0.44  
39  
64  
0.22  
0.16  
0.14  
0.11  
0.12  
0.14  
0.16  
TYPICAL NOISE PARAMETERS(TA = 25°C)  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
81  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
130  
158  
-166  
-141  
VCE = 8 V, IC = 7 mA  
1000  
2000  
4000  
1.1  
1.6  
3.4  
17.33  
13.60  
9.25  
0.28  
0.37  
0.51  
71  
0.22  
0.15  
0.27  
7.86  
160  
-139